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       1、晶體習性與幾何描述：

    該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經紅外成像法檢測晶體結構穩定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。當一個晶體屬于原生態晶體時，其當量直徑為：

                       

   D ----外形(xing)尺寸(cun)當(dang)量直徑

   W----鍺晶體(ti)重量

   L-----晶體長度

   測量值是四舍五入最小可達到毫米(mi)級別。為了(le)便于訂單出貨，我們(men)會(hui)依據晶體(ti)的體(ti)積(ji)、直徑和長(chang)度進行(xing)分類(lei)。同時我們(men)可以滿足客戶的特殊需(xu)求(qiu)，提(ti)供定制服務。

       2、純度：殘留載荷

     最大允許凈載流子(zi)雜質濃度(du)與探頭二極管的(de)幾(ji)個構造有關(guan)，請(qing)參(can)照如列公(gong)式。其(qi)純度(du)依據據霍爾(er)效應測量和計算。

         同軸探測(ce)器：同軸探測(ce)器適用于(yu)下列公式：

          N_max = 每(mei)立(li)方厘米(mi)最(zui)大(da)雜質含(han)量

      ;   VD = 耗盡層電壓 = 5000 V

               εo = 介電常數 = 8,85 10-14 F/cm

           ;    εr = 相對介電常數(Ge) = 16

          q = 電子(zi)電荷1,6 10-19C (elementary charge)

          r1 = 探測器內孔半(ban)徑

            r2 = 探測器外孔半徑

       3、純度 ：              

          假如晶體表面半徑減少2mm,由于鋰的漫射和刻蝕，內徑8毫米的內孔半徑， 適用公式變為：            

         D = 晶體外表面            

          平面(mian)探測器(qi)：平面(mian)探測器(qi)（厚度小(xiao)于2厘米(mi)）適用于以下(xia)公式：

           d=探測(ce)器外觀尺(chi)寸厚度

           徑(jing)向分散載荷子（絕對值）

           遷(qian)移：霍(huo)爾遷(qian)移

       性能： P 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s 

          N 型晶體 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

       能級： P 型晶體  通過深能瞬態測量，Cu_tot ≤ 4.5*10⁹ cm^-3

       N 型晶體&nbsp; 通過深能瞬(shun)態測量點(dian)缺(que)陷(xian) < < 5*10⁸ cm^-3

            晶體主要指標：                                P 型(xing)晶體               N 型(xing)晶體&nbsp;    

                  &nbsp;                        錯位密度             ≤ 10000   &nbsp;           ≤ 5000        

                                           星型結構             ≤ 3                  ;     ≤ 3              

                                           鑲(xiang)嵌結構   &nbsp;          ≤ 5                       ≤ 5              

       4、高純度高純鍺HPGe晶體說明：